A.2
B.3
C.4
D.5
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.測(cè)試時(shí),應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開鑿好的孔洞中,并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過(guò)長(zhǎng)時(shí),在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過(guò)程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀,應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對(duì)位移,試件達(dá)到破壞狀態(tài)
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
硅片拋光在原理上不可分為()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
PN結(jié)的基本特性是()
下列是晶體的是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()