A.收集被檢測(cè)工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測(cè)原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測(cè)情況
E.檢測(cè)環(huán)境
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A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號(hào)
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時(shí)間
A.計(jì)算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計(jì)數(shù)
A.現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
B.委托檢測(cè)
C.見證檢測(cè)
D.抽樣檢測(cè)
A、上水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對(duì)齊，普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí)，在避免擾動(dòng)四周的砌體；槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）