A.計算
B.分析
C.強度推定
D.采集
E.計數(shù)
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A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應為7皮磚
C、開槽時,在避免擾動四周的砌體;槽間砌體的承壓面應個平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應為4皮磚
A、C25混凝土標準試塊抗壓
B、C15混凝土標準試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試拉
D、M15水泥砂漿試塊試壓
A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
A、門、窗洞口側邊
B、后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C、獨立磚間墻
D、磚墻上
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列是晶體的是()。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
在通常情況下,GaN呈()型結構。