填空題扁頂法測(cè)試墻體的受壓工作應(yīng)力時(shí),多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰 ,宜?。ǎ﹎m~()mm。
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把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
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對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
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只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題