怡红院www,草莓网站在线免费观看

填空題半導(dǎo)體材料的電阻率與（），以及載流子遷移率有關(guān)。

1.填空題硅半導(dǎo)體的導(dǎo)電過程存在（）和空穴兩種載流子。

2.填空題測出的就是點(diǎn)接觸外表面的導(dǎo)電類型。要求（），無氧化層，清潔無油污。

3.填空題光電導(dǎo)衰退法是目前應(yīng)用最廣的方法，它有（）和直流光電導(dǎo)之分。

4.填空題目前測定硅單晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。

5.填空題當(dāng)任何一種高速運(yùn)動(dòng)的（）與一塊金屬物質(zhì)相撞時(shí)，都會(huì)產(chǎn)生X射線。