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問答題簡述集成雙極晶體管的有源寄生效應在其各工作區(qū)能否忽略？

1.問答題以N阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS的有哪些優(yōu)缺點？并請?zhí)岢龈倪M方法。

2.問答題以p阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS的有哪些不足？

NPN晶體管電流增益小，集電極串聯電阻大，NPN管的C極只能接固定電位。

3.問答題簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。

4.問答題簡單敘述一下pn結隔離的NPN晶體管的光刻步驟。

5.問答題在制作晶體管的時候，襯底材料電阻率的選取對器件有何影響是？

電阻率過大將增大集電極串聯電阻，擴大飽和壓降，若過小耐壓低，結電容增大，且外延時下推大。