問答題

【簡答題】簡述動(dòng)態(tài)組合邏輯電路中存在的常見的三種問題，以及他們產(chǎn)生的原因和解決的方法。

答案：動(dòng)態(tài)組合邏輯電路中存在的常見的三種問題是電荷泄漏，電荷分配和時(shí)鐘饋通。
電荷泄漏產(chǎn)生的原因是與輸出相連的MOS...

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【簡答題】降低電路的功耗有哪些方法？
答案：電路的功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗決定，而動(dòng)態(tài)功耗取決于負(fù)載電容、電源電壓和時(shí)鐘頻率，所以減少負(fù)載電容，降低電源電壓，降低開關(guān)活動(dòng)...
問答題
【簡答題】簡述CMOS靜態(tài)邏輯門功耗的構(gòu)成。
答案：CMOS靜態(tài)邏輯門的功耗包括靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。靜態(tài)功耗幾乎為0。但對(duì)于深亞微米器件，存在泄漏電流引起的功耗，此泄漏電流...
問答題
【簡答題】舉例說明什么是有比反相器和無比反相器。
答案：有比反相器在輸出低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)管和負(fù)載管同時(shí)導(dǎo)通，其輸出低電平由驅(qū)動(dòng)管導(dǎo)通電阻和負(fù)載管導(dǎo)通電阻的分壓決定。為保持足夠低的...
問答題
【簡答題】耗盡型負(fù)載nMOS反相器相比于增強(qiáng)型負(fù)載nMOS反相器有哪些好處？
答案：耗盡型負(fù)載nMOS反相器的制造工藝更加復(fù)雜，但可以有陡峭的VTC過渡和更好的噪聲容限，并且是單電源供電，整體的版圖面積也...
問答題
【簡答題】采用MOSFET作為nMOS反相器的負(fù)載器件有哪些優(yōu)點(diǎn)？
答案：采用負(fù)載電阻會(huì)占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小，并且有源負(fù)載反相器電路比無源負(fù)載反相器有更好的...
問答題
【簡答題】為什么MOS晶體管會(huì)存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)）？
答案：晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時(shí)，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場強(qiáng)度增加，電流隨之增大，...
問答題
【簡答題】什么是溝道長度調(diào)制效應(yīng)，對(duì)器件有什么影響？
答案：MOS晶體管存在速度飽和效應(yīng)。器件工作時(shí)，當(dāng)漏源電壓增大時(shí)，實(shí)際的反型層溝道長度逐漸減小，即溝道長度是漏源電壓的函數(shù)，這...
問答題
【簡答題】請(qǐng)以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應(yīng)，并解釋其對(duì)PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。
答案：對(duì)于PMOS晶體管，通常情況下襯底和源極都接最高電位，襯底偏壓，此時(shí)不存在襯偏效應(yīng)。而當(dāng)PMOS中因各種應(yīng)用使得源端電位...
問答題
【簡答題】MOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？
答案：短溝道效應(yīng)是指：當(dāng)MOS晶體管的溝道長度變短到可以與源漏的耗盡層寬度相比擬時(shí)，發(fā)生短溝道效應(yīng)，柵下耗盡區(qū)電荷不再完全受柵...
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【簡答題】什么是器件的亞閾值特性，對(duì)器件有什么影響？
答案：器件的亞閾值特性是指在分析MOSFET時(shí)，當(dāng)Vgs

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