單項選擇題關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項不正確？（）

A.N型半導(dǎo)體，自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
B.N型半導(dǎo)體中，自由電子是多子
C.N型半導(dǎo)體中，空穴是多子
D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成


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你可能感興趣的試題

1.單項選擇題關(guān)于空穴，下面哪一項不正確？（）

A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動產(chǎn)生的電流來代替受束縛的電子移動產(chǎn)生的電流
D.硅的價電子比鍺的價電子越容易擺脫束縛（相同情況）

2.單項選擇題

電路如圖所示。求（）。

A.R1/R2
B.R2/R1
C.-R1/R2
D.-R2/R1

3.單項選擇題

電路如圖所示。求（）。

A.4
B.3
C.2
D.1

4.單項選擇題關(guān)于運放，以下哪個說法是正確的？（）

A.輸出級是為了電壓的放大
B.有一個輸入端和一個輸出端
C.為了得到虛短和虛斷，需要引入負(fù)反饋
D.反相放大電路的等效輸入電阻為無窮大

5.單項選擇題

電路如圖所示，下列哪個選項是正確的？（）

A.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為0
B.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為R2
C.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為無窮大
D.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為R1