A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
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A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機(jī)械強(qiáng)度
D、補(bǔ)償坯體收縮作用
A、反應(yīng)劑
B、助熔劑
C、穩(wěn)定劑
D、澄清劑
A、方解石
B、泥灰?guī)r
C、白泥
D、白堊
最新試題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()