A、方解石
B、泥灰?guī)r
C、白泥
D、白堊
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A、石灰石
B、方解石
C、泥灰?guī)r
D、白堊
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
A、粉體制備
B、原料的破碎
C、成型
D、高溫?zé)崽幚?/p>
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
硅片拋光在原理上不可分為()