A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%，F(xiàn)e2O3<0.3%
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A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.3%
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
最新試題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
改良西門子法的顯著特點不包括（）
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
硅片拋光在原理上不可分為（）
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；