單項(xiàng)選擇題池窯的工藝制度中不包括（）。

A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料


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1.單項(xiàng)選擇題影響耐火材料侵蝕介質(zhì)的種類(lèi)沒(méi)有下面的哪一種（）。

A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物

2.單項(xiàng)選擇題按照水和物料結(jié)合的強(qiáng)弱，物料中的水分可以分為三類(lèi)，其中不包括（）。

A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機(jī)械結(jié)合水

3.單項(xiàng)選擇題壓制法成型有三種加壓方式，其中不包括下面的哪一種（）。

A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓

4.單項(xiàng)選擇題配合料一般制備與加工的工藝為：（）

A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料

最新試題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題