單項(xiàng)選擇題玻璃制品的退火制度不包括（）。

A、加熱
B、加壓
C、保溫
D、冷卻


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1.單項(xiàng)選擇題池窯的工藝制度中不包括（）。

A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料

2.單項(xiàng)選擇題影響耐火材料侵蝕介質(zhì)的種類(lèi)沒(méi)有下面的哪一種（）。

A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物

3.單項(xiàng)選擇題按照水和物料結(jié)合的強(qiáng)弱，物料中的水分可以分為三類(lèi)，其中不包括（）。

A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機(jī)械結(jié)合水

4.單項(xiàng)選擇題壓制法成型有三種加壓方式，其中不包括下面的哪一種（）。

A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓

5.單項(xiàng)選擇題配合料一般制備與加工的工藝為：（）

A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料

最新試題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題