單項(xiàng)選擇題國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定水泥生產(chǎn)要控制SO3含量不得超過（）。

A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%


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1.單項(xiàng)選擇題水泥窯尾廢氣溫度大約在（）。

A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃

2.單項(xiàng)選擇題以下哪種不是主要的水泥組成材料（）。

A、熟料
B、石膏
C、混合材
D、石灰石

3.單項(xiàng)選擇題不同窯型生產(chǎn)的熟料最易磨的為（）。

A、立窯熟料
B、濕法回轉(zhuǎn)窯熟料
C、干法回轉(zhuǎn)窯熟料
D、回轉(zhuǎn)要熟料+礦渣

4.單項(xiàng)選擇題水泥煅燒過程中，固相反應(yīng)發(fā)生在（）。

A、干燥帶
B、預(yù)熱帶
C、放熱反應(yīng)帶
D、燒成帶

5.單項(xiàng)選擇題阿利特在適量液相存在的條件下，生成溫度大約在（）。

A、800℃
B、1250℃
C、1600℃
D、2000℃

最新試題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項(xiàng)選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

題型：單項(xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：單項(xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項(xiàng)選擇題