單項(xiàng)選擇題一次風(fēng)占燃燒所需要空氣量的()。
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
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1.單項(xiàng)選擇題水泥生料的主要原料不包括()。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
2.單項(xiàng)選擇題陶瓷的主要原料包括()。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
3.單項(xiàng)選擇題陶瓷?;纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
4.單項(xiàng)選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是()。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
5.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應(yīng)影響因素不包括()。
A、溫度和反應(yīng)時(shí)間
B、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題