單項(xiàng)選擇題玻璃配合料的均勻度一般要求大于()

A、85%
B、90%
C、95%
D、98%


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1.單項(xiàng)選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括()

A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛

2.單項(xiàng)選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較,()

A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷

3.單項(xiàng)選擇題下列氧化物中,加入過量會(huì)使玻璃的料性變短的是()

A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O

5.單項(xiàng)選擇題能夠單獨(dú)形成玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵能一般大于()

A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol

最新試題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()

題型:多項(xiàng)選擇題