最新試題
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制?
題型:?jiǎn)柎痤}
試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與多數(shù)載流子相比,少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型:判斷題
試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B,P,As的擴(kuò)散特性。
題型:?jiǎn)柎痤}
說明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因?
題型:?jiǎn)柎痤}
在PN 結(jié)中,P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。
題型:判斷題
試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型:?jiǎn)柎痤}
自由電子帶負(fù)電,空穴帶正電。
題型:判斷題
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題