最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題