單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅，在生產(chǎn)過程中不需要控制（）。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑，可降低溫度


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1.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是（）。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

3.單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的（）原理來減少反射。

A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

4.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈（）。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

5.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的（）。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻