單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
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1.單項選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
2.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷
3.單項選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導體
B、導體
C、絕緣體
4.問答題簡述影響碳酸鈣分解速度的因素。
5.問答題簡述如何選擇陶瓷的成方法？
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題