單項選擇題對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
A.非本征
B.本征
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1.單項選擇題一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
2.單項選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
3.單項選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
A.減小，減小
B.減小，增大
C.增大，增大
D.增大，減小
4.單項選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
5.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向（）
A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題