名詞解釋集電結耗盡區(qū)渡越時間
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最新試題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題