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最新試題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題