名詞解釋耗盡型JFET
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最新試題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
題型：填空題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題