名詞解釋內(nèi)量子效率
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氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
題型：填空題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題