名詞解釋輻射復(fù)合
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N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題