問(wèn)答題解釋組分過(guò)冷并推導(dǎo)組分過(guò)冷產(chǎn)生的條件,討論出現(xiàn)組分過(guò)冷時(shí)平坦界面上的干擾如何發(fā)展成胞狀界面及枝蔓生長(zhǎng)。
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1.問(wèn)答題分析產(chǎn)生雜質(zhì)條紋的根本原因,說(shuō)明對(duì)于非平坦界面,由于晶轉(zhuǎn)軸與熱轉(zhuǎn)軸不重合帶來(lái)的雜質(zhì)條紋的形狀。
3.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶徑向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
4.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶縱向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CZ法中雜質(zhì)摻入辦法及其選擇依據(jù)。
最新試題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。
題型:填空題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體,其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題