最新試題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：問答題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題