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CGS、CGD都增大了；柵極增長(zhǎng)，管子尺寸變大，集成度降低。

制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對(duì)齊

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
溝道載流子特性、柵極材料、金屬層數(shù)、特征尺寸工藝可以實(shí)現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸

（1）跨導(dǎo)相對(duì)低；
（2）閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度；
（3）驅(qū)動(dòng)電流??；
（4）閾值電壓變化大。

HEMT有源層中，沒(méi)有施主與電子的碰撞毫米波電路和光纖通信的超高速電路

因?yàn)镮n原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象

柵長(zhǎng)小于0.3um

把0.35-0.8μm及以下稱(chēng)為亞微米級(jí)0.25um及其以下為深亞微米0.05um及其以下稱(chēng)為納米級(jí)

當(dāng)半導(dǎo)體表面上加一個(gè)與表面垂直的電場(chǎng)，在表面附近形成電子勢(shì)阱，就會(huì)積累起大量的電子