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問答題 CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些過程？

包括：邊緣拋光：分散應(yīng)力，減少微裂紋，降低位錯(cuò)排與滑移線，降低因碰撞而產(chǎn)生碎片的機(jī)會(huì)。表面拋光：粗拋光，細(xì)拋光，精拋光

1.問答題硅片研磨及清洗后腐蝕的方法有哪些？

腐蝕方式：噴淋及浸泡

2.問答題硅片研磨及清洗后為什么要進(jìn)行化學(xué)腐蝕？

工序目的：去除表面因加工應(yīng)力而形成的損傷層及污染

3.問答題硅片表面吸附雜質(zhì)清洗順序是什么？

清洗順序：去分子－去離子－去原子－去離子水沖洗－烘干、甩干

4.問答題硅片表面吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)有哪些？

被吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)：分子型、離子型、原子型

5.問答題與Al布線相比，Cu布線有何優(yōu)點(diǎn)？

銅作為互連材料，其抗電遷移性能比鋁好，電阻率低，可以減小引線的寬度和厚度，從而減小分布電容。