問(wèn)答題氧化膜厚度的測(cè)定方法？
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1.問(wèn)答題熱氧化常見(jiàn)的缺陷有？
2.問(wèn)答題為何熱氧化時(shí)要控制鈉離子含量？降低鈉離子污染的措施有哪些？
3.問(wèn)答題影響熱氧化層電性的電荷來(lái)源有哪些類型？降低這些電荷濃度的措施？
4.問(wèn)答題影響氧化速率的因素有？
5.問(wèn)答題熱氧化工藝有哪些？
最新試題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，焊盤(pán)產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題