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問答題對1T DRAM，假設(shè)位線電容為1pF，位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲數(shù)據(jù)為1和0時單元電容Cs（50fF）上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。

1.問答題 給出三管DRAM的原理圖。并按圖中已給出的波形畫出X和BL1波形，并大致標(biāo)出電壓值。（選作）試問有什么辦法提高refresh time？

2.問答題試問單管DRAM單元的讀出是不是破壞性的？怎樣補充這一不足？（選作）有什么辦法提高refresh time？

3.問答題 給出單管DRAM的原理圖。并按圖中已給出的波形畫出X波形和BL波形，并大致標(biāo)出電壓值。

4.問答題簡述sram，flash memory及dram的區(qū)別？

5.問答題預(yù)充電雖然在NOR ROM中工作得很好，但它應(yīng)用到NAND ROM時卻會出現(xiàn)某些嚴(yán)重的問題。請解釋這是為什么？