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問答題簡述sram，flash memory及dram的區(qū)別？

1.問答題預(yù)充電雖然在NOR ROM中工作得很好，但它應(yīng)用到NAND ROM時卻會出現(xiàn)某些嚴重的問題。請解釋這是為什么？

2.問答題畫一個2×2的MOS NAND型 ROM單元陣列，要求地址0，1中存儲的數(shù)據(jù)值分別為10和10。并簡述工作原理。

3.問答題 確定圖中ROM中存放地址0，1，2和3處和數(shù)據(jù)值。并簡述工作原理。

4.問答題 如圖為一個4×4的 NOR ROM，假設(shè)此電路采用標準的0.25µm CMOS工藝實現(xiàn)，確定PMOS上拉器件尺寸使最壞的情況下V_OL值不會高于1.5V（電源電壓為2.5V）。這相當于字線擺為1V。NMOS尺寸?。╓/L）=4/2。

5.問答題畫一個2×2的MOS NOR型 ROM單元陣列，要求地址0，1中存儲的數(shù)據(jù)值分別為01和01。并簡述工作原理。