問(wèn)答題半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)有什么要求？
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1.問(wèn)答題潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？
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最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題