單項(xiàng)選擇題本質(zhì)半導(dǎo)體在絕對零度（0°K）時(shí)，其性能如同（）

A.金屬導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體
D.具有多數(shù)之自由電子


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2.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)半導(dǎo)體之?dāng)⑹?，何者錯(cuò)誤？（）

A.外質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性較本質(zhì)半導(dǎo)體好
B.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載子為電洞
C.P型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為受體
D.N型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為五價(jià)元素

3.單項(xiàng)選擇題PN半導(dǎo)體加逆向偏壓時(shí)會(huì)有些許電流產(chǎn)生，乃是因?yàn)椋ǎ┧?

A.正離子
B.負(fù)離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時(shí)，二極管接面的空乏區(qū)將（）

A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰

5.單項(xiàng)選擇題三價(jià)雜質(zhì)加到硅形成（）

A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)