單項選擇題電子在晶體中的共有化運動是指（）。
A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對應(yīng)點出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對應(yīng)點的相位相同
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1.單項選擇題最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。
A.n
B.p
C.本征
2.問答題硝酸（HNO3）。
3.問答題鹽酸（HCl）。
4.問答題氫氧化鈉。
5.問答題硅酸鹽。
最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
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N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
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MOS管閾值電壓的單位是eV。
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（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
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實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
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MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題