單項(xiàng)選擇題最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。
A.n
B.p
C.本征
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最新試題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
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晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題