問(wèn)答題實(shí)際半導(dǎo)體與理想半導(dǎo)體間的主要區(qū)別是什么？

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3.單項(xiàng)選擇題在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長(zhǎng)的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（）。

A.無(wú)雜質(zhì)污染
B.受宇宙射線輻射
C.化學(xué)配比合理
D.晶體完整性好

4.單項(xiàng)選擇題若一種材料的電阻率隨溫度升高先下降后升高，則該材料是（）。

A.本征半導(dǎo)體
B.金屬
C.化合物半導(dǎo)體
D.摻雜半導(dǎo)體

5.單項(xiàng)選擇題重空穴指的是（）。

A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來(lái)的能帶上的空穴