問(wèn)答題若P型硅中摻入受主雜質(zhì)，EF是升高還是降低？若n型硅中摻入受主雜質(zhì)，EF是升高還是降低？
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1.問(wèn)答題解釋重?fù)诫s半導(dǎo)體使禁帶變窄的原因。
3.問(wèn)答題舉例說(shuō)明什么是受主雜質(zhì)，什么是p型半導(dǎo)體？
4.問(wèn)答題實(shí)際半導(dǎo)體與理想半導(dǎo)體間的主要區(qū)別是什么？
最新試題
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題