問(wèn)答題簡(jiǎn)述MOS集成電路工藝中提高場(chǎng)開(kāi)啟電壓的方法？
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最新試題
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型：判斷題
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
結(jié)電容是常量。
題型：判斷題
在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。
題型：判斷題
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。
題型：判斷題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型：判斷題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型：名詞解釋
二極管只能通過(guò)直流電，不能通過(guò)交流電。
題型：判斷題