判斷題理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大,因此不能使用。
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4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電,下列敘述不正確的是:()
A.PN 結(jié)加的正向電壓夠大時(shí),多子的擴(kuò)散比少子的漂移占優(yōu)勢(shì)
B.PN 結(jié)加反向電壓時(shí),少子的漂移比多子的擴(kuò)散占優(yōu)勢(shì)
C.PN 結(jié)不外加電壓時(shí),少子的漂移與多子的擴(kuò)散達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡
D.要給PN 結(jié)加正向電壓,P 區(qū)一側(cè)應(yīng)接低電位,N 區(qū)一側(cè)應(yīng)接高電位
5.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
A.半導(dǎo)體的電阻介于導(dǎo)體與絕緣體之間
B.半導(dǎo)體可以制作成非常純凈的晶體
C.半導(dǎo)體可以通過(guò)摻雜工藝制成N 型半導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體
D.半導(dǎo)體具有熱敏性、光敏性和特殊的摻雜特性
最新試題
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型:判斷題
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型:?jiǎn)柎痤}
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型:名詞解釋
OED/ORD
題型:名詞解釋
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型:判斷題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中,空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型:判斷題
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型:判斷題
在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
題型:判斷題
自由電子帶負(fù)電,空穴帶正電。
題型:判斷題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:?jiǎn)柎痤}