名詞解釋強(qiáng)迫對(duì)流
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MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題