單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體于鍺或硅中加入之雜質(zhì)為（）

A.三價(jià)
B.四價(jià)
C.五價(jià)
D.以上各價(jià)均可能


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1.單項(xiàng)選擇題二極管的動態(tài)電阻rd為（）

A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID

3.單項(xiàng)選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）

A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管

4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）

A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非

5.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）

A.斷路時(shí)
B.短路時(shí)
C.順向偏壓時(shí)
D.逆向偏壓時(shí)