問(wèn)答題化合物半導(dǎo)體的主要類型，各自的典型材料及主要應(yīng)用領(lǐng)域。
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2.問(wèn)答題指出目前最為常用的半導(dǎo)體材料，并給出其被普遍使用的主要原因。
3.問(wèn)答題舉例說(shuō)明用于微電子器件制造的主要襯底材料類型。
4.名詞解釋U（x）
5.名詞解釋超細(xì)顆粒
最新試題
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型：判斷題
舉例說(shuō)明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？
題型：?jiǎn)柎痤}
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
題型：判斷題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：?jiǎn)柎痤}