A.強(qiáng)度
B.方向
C.形狀
D.角度
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A.垂直,衍射方向
B.平行,衍射方向
C.垂直,公共法線
D.平行,公共法線
A.激發(fā)電壓要達(dá)到一定值時(shí)才能產(chǎn)生,標(biāo)識(shí)X射線的位置與陽(yáng)極靶材有關(guān)
B.標(biāo)識(shí)X射線的位置與激發(fā)電壓、電流及陽(yáng)極靶材都有關(guān)
C.標(biāo)識(shí)X射線的位置與激發(fā)電壓及電流無(wú)關(guān)
D.激發(fā)電壓要達(dá)到一定值時(shí)才能產(chǎn)生
A.Z靶< 40,Z濾=Z靶-2;Z靶>40,Z濾=Z靶-1
B.Z靶< 40,Z濾=Z靶-1;Z靶>40,Z濾=Z靶-2
C.Z靶>40,Z濾=Z靶-1;Z靶< 40,Z濾=Z靶-2
D.Z靶< 40,Z濾=Z靶+1;Z靶>40,Z濾=Z靶+2
A.巴克拉
B.勞厄
C.倫琴
D.布拉格父子
最新試題
掃描電鏡的背散射電子像中,圖像上亮區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)()暗區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)。
利用電子探針對(duì)材料微區(qū)成分進(jìn)行面分析,包含幾種元素就顯示幾種元素的分布圖像。
根據(jù)衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)原理,理想晶體衍射強(qiáng)度隨()而變化。
利用電子探針的波譜儀,一個(gè)分光晶體能夠覆蓋的波長(zhǎng)范圍有限的,因此一個(gè)分光晶體只能檢測(cè)一定原子序數(shù)范圍的元素。
關(guān)于X射線衍射儀的測(cè)量動(dòng)作,說(shuō)法正確的是()。
1887年,Hertz建立了XPS技術(shù)的理論模型。
電子束與固體樣品作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生背散射電子。背反射電子的產(chǎn)額隨樣品()的增加而增多。
熱分析中對(duì)樣品的重量沒有要求,只要樣品尺寸能放進(jìn)坩堝內(nèi),就可以獲得良好的測(cè)試結(jié)果。
熱分析中,不同性質(zhì)的氣氛對(duì)測(cè)試結(jié)果沒有影響。
在電子探針面分析中,根據(jù)圖像上亮點(diǎn)的疏密和分布,可確定該元素在試樣中分布情況,亮區(qū)代表元素含量()。