單項(xiàng)選擇題一個(gè)輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會引起靜態(tài)功耗的漏電流？（）

A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應(yīng)漏端漏電GIDL
D.pn結(jié)反偏漏電流（BTBT）


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1.多項(xiàng)選擇題一個(gè)數(shù)字電路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）

A.開關(guān)活動性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時(shí)的電源電壓

2.單項(xiàng)選擇題一個(gè)邏輯門輸出從低電平向高電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動態(tài)功耗，從高電平向低電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動態(tài)功耗。

A.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；直流通路引起的功耗
B.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
C.電容充電功耗；直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
E.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；無

3.多項(xiàng)選擇題芯片的功耗會影響下列哪些系統(tǒng)指標(biāo)？（）

A.待機(jī)時(shí)間
B.散熱成本
C.可靠性
D.設(shè)計(jì)復(fù)雜度

5.單項(xiàng)選擇題對于存在多管堆疊結(jié)構(gòu)的大扇入邏輯門，應(yīng)該把關(guān)鍵輸入信號（最晚到達(dá)的信號）連接到（）。

A.內(nèi)側(cè)的晶體管上
B.外側(cè)的晶體管上
C.尺寸最大的晶體管上