問(wèn)答題試述晶體外延的意義，列出三種外延方法。
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1.問(wèn)答題什么叫硅的熱氧化？有哪幾種熱氧化技術(shù)？
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4.問(wèn)答題MOS管的跨導(dǎo)系數(shù)與哪些參數(shù)有關(guān)？
5.問(wèn)答題什么是MOS管的閾值電壓？
最新試題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}