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Smart-Cut
答案:
只能剝離技術(shù)是一種注入氫離子然后進(jìn)行剝離的技術(shù),即在鍵合的一片晶片上注入氫離子,然后和另一硅片在一定溫度下鍵合,鍵合熱處...
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SIMOX
答案:
通過氧離子注入到硅片,與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物,再經(jīng)高溫退火過程形成SiO
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層,同時消除注入缺陷。
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SOI技術(shù)
答案:
稱絕緣層上硅,把器件做在絕緣襯底生長的硅單晶層上。
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SOS技術(shù)
答案:
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雙摻雜技術(shù)
答案:
同時引入兩種原子半徑不同的雜質(zhì)原子,使他們產(chǎn)生的應(yīng)變正好相反。應(yīng)力得到補(bǔ)償,減少或避免晶格畸變,消除失配位錯-應(yīng)力補(bǔ)償法...
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名詞解釋
外延層的夾層
答案:
外延層和襯底界面附近出現(xiàn)的高阻層或反型層。
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自摻雜
答案:
雜質(zhì)從襯底及基座中蒸發(fā)出來進(jìn)入氣相中繼而再次摻入外延層中,也包括由于襯底基座被腐蝕而進(jìn)入氣相中進(jìn)而摻入外延層中。
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吸雜工藝
答案:
通過機(jī)械化學(xué)處理方法,在硅片的非電活性區(qū)引入缺陷,在熱處理時一些重金屬雜質(zhì)會擴(kuò)散并淀積在這些缺陷處,從而減少了這些有害雜...
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名詞解釋
熱施主效應(yīng)
答案:
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漩渦缺陷
答案:
通常是指無位錯單晶經(jīng)西特爾腐蝕液腐蝕后,在晶體生長方向的橫斷面上、觀察到的呈漩渦狀分布的宏觀缺陷花紋、微觀上看是由淺底腐...
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中子嬗變摻雜
答案:
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