最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
題型:填空題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題