多項(xiàng)選擇題CVD基本過(guò)程包括（）。

A.在表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在表面淀積成薄膜
B.副產(chǎn)物脫離吸附
C.脫吸副產(chǎn)物逸出反應(yīng)室
D.反應(yīng)劑傳輸至襯底表面，反應(yīng)劑吸附在表面


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1.多項(xiàng)選擇題?CVD薄膜有哪些應(yīng)用？（）

A.鎢塞
B.鈍化層
C.層間介質(zhì)BPSG

2.多項(xiàng)選擇題?CVD技術(shù)可以制備的薄膜有（）。

A.SiO2
B.單晶硅
C.BSG
D.Si3N4

3.多項(xiàng)選擇題?濺射方法從本質(zhì)上可分為（）。

A.反應(yīng)濺射
B.直流濺射
C.磁控濺射
D.射頻濺射

4.多項(xiàng)選擇題?集成電路制造技術(shù)中，薄膜制備技術(shù)主要包括兩大類（）。

A.薄膜生長(zhǎng)技術(shù)
B.薄膜淀積技術(shù)
C.薄膜外延技術(shù)
D.薄膜堆疊技術(shù)

5.單項(xiàng)選擇題與真空蒸發(fā)相比，濺射薄膜的臺(tái)階覆蓋性好，關(guān)鍵在于（）。

A.濺射工藝重復(fù)性好
B.濺射角度大
C.濺射工藝復(fù)雜
D.濺射原子遷移能力強(qiáng)